DB106G
GeneSiC Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | DB106G |
---|---|
Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
Teil der Beschreibung.: | BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
20000+ | $0.198 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Spitzensperr- (max) | 800 V |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DB |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 4-EDIP (0.321', 8.15mm) |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Diodentyp | Single Phase |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 800 V |
Strom - Richt (Io) | 1 A |
Grundproduktnummer | DB106 |
DB106G Einzelheiten PDF [English] | DB106G PDF - EN.pdf |
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-S
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-1
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-M
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-S
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBS
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-1
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-M
BRIDGE RECT 800V 1A DB-LS
BRIDGE RECT 800V 1A DB-1
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DBS
RECTIFIER BRIDGE 1A 800V DBS
Interface
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DB106GGeneSiC Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|